为了在热仿真时得到可靠的有源层温度分布，采用基于芯片封装结构原型的808 nm高功率半导体激光器单管有限元模型，引入条型区、热沉覆......

提升半导体激光器的腔面抗光学灾变（COD）损伤的能力，改善半导体激光器的工作特性，一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点。基于......

A very highly efficient InGaAlAs/AlGaAs quantum-well structure was designed for 808 nm emission,and laser diode chips 39......